特色
- VGS=4.5V,ID=-1.5A时最大rDS(开)=150mR
- VGS=2.5V,ID=-1.3A时最大rDS(开)=195mR
- VGS=1.8V,ID=-1.1A时,最大rDS(开启)=280mR
- VGS=1.5V,ID=-0.9A时,最大rDS(开启)=480mR
- 控制MOSFET(Q1)包括齐纳保护,用于ESD加固(>4kV人体模型)
- 用于极低rDS的高性能沟槽技术(开启)
起订量: 1
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