SANYO制造的2SC4135、C4135零件可在9icnet Electronics购买。在这里,您可以找到来自世界领先制造商的各种类型和价值的电子零件。9icnet Electronics的2SC4135、C4135组件经过精心挑选,经过严格的质量控制,并成功满足所有要求的标准。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的,你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息,例如2SC4135、C4135库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信,所以请随时与我们联系。
2SC4134S-TL-E是TRANS NPN 100V 1A TP-FA,包括2SC4134系列,它们设计用于卷筒包装,单位重量如数据表注释所示,用于0.063493盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,包装盒设计用于to-252,以及单一配置,该设备也可用作0.8 W Pd功耗,其最大工作温度范围为+150℃,该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为100 V,该器件具有晶体管极性NPN,集电极-发射器饱和电压为100 mV,集电极基极电压VCBO为120 V,发射极基极电压VEBO为6 V,最大直流集电极电流为2A,增益带宽乘积fT为120 MHz,并且连续集电极电流为1A并且DC集电极基极增益hfe Min为100。
2SC4134T-E是TRANS NPN 100V 1A TP,包括0.13932 oz单位重量,它们设计用于NPN晶体管极性,系列如数据表注释所示,用于2SC4134,提供Pd功率耗散功能,如0.8 W,包装设计用于散装,以及to-251封装盒,该设备也可以用作SMD/SMT安装类型。此外,发射极基极电压VEBO为6 V,该器件提供100 DC集电极基极增益hfe Min,该器件具有1 a的连续集电极电流,集电极-发射极电压VCEO Max为100 V。
2SC4134T-TL-E是双极晶体管-BJT BIP NPN 1A 100V,包括100 V集电极-发射极电压VCEO Max,它们设计为在1 a连续集电极电流下工作,DC集电极基极增益hfe Min如数据表注释所示,用于100,提供发射极基极电压VEBO功能,如6 V,安装样式设计用于SMD/SMT,以及TO-252包装箱,该设备也可以用作卷筒包装。此外,Pd功耗为0.8 W,该器件为2SC4134系列,该器件具有晶体管极性NPN,单位重量为0.063493盎司。
2SC4135,带有SANYO制造的EDA/CAD模型。2SC4135采用TO-252封装,是晶体管(BJT)-单体的一部分。