特色
- RDS(ON)=260mR,VGS=-4.5V
- RDS(ON)=330mR,VGS=-2.5V
- RDS(ON)=450mR,VGS=-1.8V
- 控制MOSFET(Q1)包括用于ESD耐用性的齐纳保护(>6kV人体模型)
- 用于极低RDS(ON)的高性能沟槽技术
起订量: 1
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onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...