特色
- 非常高的精度和稳定性
- 精度几乎不受温度变化的影响
- 5V时为40µA最大低功耗
- 4kV HBM高ESD耐受性
应用
便携式设备、信号处理、医疗、传感和仪器
TSZ122IST
- 描述:放大器的种类: Zero-Drift 电线数量: two 增益带宽积: 400千赫 供应商设备包装: 8-MiniSO 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 26.01088 | 26.01088 |
| 10+ | 25.40133 | 254.01336 |
| 30+ | 24.99146 | 749.74401 |
- 库存: 1
- 单价: ¥26.01088
-
数量:
- +
- 总计: ¥26.01
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 电线数量 two
- 3db 频段宽度 -
- 输出类别 轨至轨
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 最小电源电压 1.8伏
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度
- 放大器的种类 Zero-Drift
- 包装/外壳 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00毫米 Width)
- 最大电源电压 5.5 V
- 电压输入偏移 1 V
- 输出电流 / 通道 18毫安
- 电流输入偏置 70 pA
- 供应商设备包装 8-MiniSO
- 压摆率 0.19V/s
- 增益带宽积 400千赫
- 工作电流 31A (x2 Channels)
TSZ122IST 产品详情
TSZ122IST是一款微功率双运算放大器，提供非常低的输入偏置电压，几乎为零漂移。TSZ12x系列提供了轨对轨输入和输出、优异的速度/功耗比和400kHz增益带宽产品，同时在5V电压下消耗小于40µA。该器件还具有超低输入偏置电流。
TSZ122IST 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | TSZU52C10 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 10伏 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥0.51758 |
 | TSZU52C11 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 11伏 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥0.51758 |
 | TSZU52C3V6 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 3.6伏 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥0.51758 |
 | TSZU52C3V9 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 3.9伏 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥0.51758 |
 | TSZU52C4V7 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 4.7伏 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥0.51758 |
 | TSZU52C5V1 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 5.1 V 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥0.51758 |
 | TSZU52C5V6 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 5.6 V 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥0.51758 |
 | TSZU52C6V2 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥0.51758 |
 | TSZU52C6V8 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 6.8 V 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥0.51758 |
 | TSZ182IQ2T | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 放大器的种类: Zero-Drift 电线数量: two 增益带宽积: 3兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (2x2) 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥18.9065 |
TSZ122IST所属分类：仪表/运算/缓冲放大器，TSZ122IST 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。TSZ122IST价格参考￥26.010884，你可以下载 TSZ122IST中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询TSZ122IST规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
