特色
- 非常高的精度和稳定性
- 精度几乎不受温度变化的影响
- 5V时为40µA最大低功耗
- 4kV HBM高ESD耐受性
TSZ182HYDT
- 描述:放大器的种类: 一般用途 电线数量: two 增益带宽积: 3兆赫 供应商设备包装: 8-SOIC 工作温度: -40摄氏度~150摄氏度（TA） 安装类别: 表面安装
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 29.84074 | 29.84074 |
| 10+ | 26.77700 | 267.77001 |
| 25+ | 25.31248 | 632.81217 |
| 100+ | 21.93729 | 2193.72960 |
| 250+ | 20.81203 | 5203.00975 |
| 500+ | 18.67465 | 9337.32950 |
| 1000+ | 18.57282 | 18572.82400 |
| 2500+ | 18.57282 | 46432.06000 |
- 库存: 207
- 单价: ¥27.08845
-
数量:
- +
- 总计: ¥29.84
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 放大器的种类 一般用途
- 电线数量 two
- 3db 频段宽度 -
- 输出类别 轨至轨
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 最小电源电压 2.2伏
- 安装类别 表面安装
- 增益带宽积 3兆赫
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 供应商设备包装 8-SOIC
- 电流输入偏置 30 pA
- 工作电流 800A (x2 Channels)
- 最大电源电压 5.5 V
- 电压输入偏移 1 V
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度（TA）
- 压摆率 4.7V/s
- 输出电流 / 通道 29毫安
TSZ182HYDT 产品详情
STMicroelectronics汽车放大器和比较器是可靠的行业标准和高性能汽车产品。这些汽车级运算放大器和比较器满足极高的可靠性和质量要求。
TSZ182HYDT 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | TSZU52C10 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 10伏 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥0.51758 |
 | TSZU52C11 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 11伏 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥0.51758 |
 | TSZU52C3V6 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 3.6伏 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥0.51758 |
 | TSZU52C3V9 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 3.9伏 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥0.51758 |
 | TSZU52C4V7 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 4.7伏 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥0.51758 |
 | TSZU52C5V1 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 5.1 V 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥0.51758 |
 | TSZU52C5V6 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 5.6 V 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥0.51758 |
 | TSZU52C6V2 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥0.51758 |
 | TSZU52C6V8 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 6.8 V 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥0.51758 |
 | TSZ182IQ2T | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 放大器的种类: Zero-Drift 电线数量: two 增益带宽积: 3兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (2x2) 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥18.9065 |
TSZ182HYDT所属分类：仪表/运算/缓冲放大器，TSZ182HYDT 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。TSZ182HYDT价格参考￥27.088446，你可以下载 TSZ182HYDT中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询TSZ182HYDT规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
