 | TSZU52C10 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 10伏 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度(TJ) | ¥0.51758 |
 | TSZU52C11 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 11伏 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度(TJ) | ¥0.51758 |
 | TSZU52C3V6 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 3.6伏 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度(TJ) | ¥0.51758 |
 | TSZU52C3V9 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 3.9伏 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度(TJ) | ¥0.51758 |
 | TSZU52C4V7 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 4.7伏 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度(TJ) | ¥0.51758 |
 | TSZU52C5V1 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 5.1 V 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度(TJ) | ¥0.51758 |
 | TSZU52C5V6 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 5.6 V 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度(TJ) | ¥0.51758 |
 | TSZU52C6V2 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度(TJ) | ¥0.51758 |
 | TSZU52C6V8 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 6.8 V 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度(TJ) | ¥0.51758 |
 | TSZ182IQ2T | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 放大器的种类: Zero-Drift 电线数量: two 增益带宽积: 3兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (2x2) 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥18.9065 |