起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 5.60153 | 5.60153 |
| 200+ | 2.16494 | 432.98920 |
| 500+ | 2.09138 | 1045.69000 |
| 1000+ | 2.05985 | 2059.85200 |
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TSZ12x系列高精度运算放大器提供非常低的输入偏置电压，几乎零漂移。
TSZ121ICT是单版本，TSZ122是双版本，TSZ224是四版本，引脚与行业标准兼容。
TSZ12x系列提供轨对轨输入和输出、优异的速度/功耗比和400 kHz增益带宽产品，同时在5 V时消耗小于40μA。该器件还具有超低的输入偏置电流。
这些特性使TSZ12x系列成为传感器接口、电池供电应用和便携式应用的理想选择。
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | TSZU52C10 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 10伏 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥0.51758 |
 | TSZU52C11 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 11伏 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥0.51758 |
 | TSZU52C3V6 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 3.6伏 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥0.51758 |
 | TSZU52C3V9 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 3.9伏 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥0.51758 |
 | TSZU52C4V7 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 4.7伏 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥0.51758 |
 | TSZU52C5V1 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 5.1 V 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥0.51758 |
 | TSZU52C5V6 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 5.6 V 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥0.51758 |
 | TSZU52C6V2 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 6.2 V 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥0.51758 |
 | TSZU52C6V8 RGG | 台湾集成电路制造 (Taiwan Semiconductor) | 标称齐纳电压 (Vz): 6.8 V 最大功率: 150 mW 公差: ±5% 供应商设备包装: 0603 工作温度: -55摄氏度~125摄氏度（TJ） | ¥0.51758 |
 | TSZ182IQ2T | 意法半导体 (STMicroelectronics) | 放大器的种类: Zero-Drift 电线数量: two 增益带宽积: 3兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (2x2) 工作温度: -40摄氏度~125摄氏度 安装类别: 表面安装 | ¥18.9065 |
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
