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GS88236BB-200I
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GS88236BB-200I

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 119-FPBGA(22x14)
  • 品牌: 德国重离子研究中心 (GSI)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 15

数量 单价 合计
15+ 123.63630 1854.54454
  • 库存: 447
  • 单价: ¥123.63630
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥1,854.54
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规格参数

  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 访达时期 -
  • 存储格式 SRAM
  • 时钟频率 200兆赫
  • 技术 SRAM
  • 部件状态 过时的
  • 制造厂商 德国重离子研究中心 (GSI)
  • 存储容量 9Mb(256K x 36)
  • 电源电压 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V
  • 包装/外壳 119亿加仑
  • 供应商设备包装 119-FPBGA(22x14)

GS88236BB-200I 产品详情

GS88236BB-200I所属分类:存储器,GS88236BB-200I 由 德国重离子研究中心 (GSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。GS88236BB-200I价格参考¥123.636303,你可以下载 GS88236BB-200I中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询GS88236BB-200I规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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