品牌介绍
GSI Technology，Inc.成立于1995年，是网络、军事、医疗、汽车和其他应用领域高性能半导体存储器解决方案的领先供应商。该公司提供超长的产品支持生命周期、较短的交付周期、市场上最大的高性能内存产品组合之一，以及完整的售前和售后支持。GSI的目标是提供世界上功率、速度、密度、质量、可靠性和交付的最佳价值组合，重点是长期提供高性能内存。
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格 | 库存 | 交期 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 633 MHz 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15) | ¥2,183.29978 | 107 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.29978 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 633 MHz 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15) | ¥2,183.29978 | 107 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.29978 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 633 MHz 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15) | ¥2,183.29978 | 105 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥2,183.29978 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（20x14） | ¥173.32260 | 542 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥173.32260 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 550 MHz 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17) | ¥3,563.50680 | 82 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥3,563.50680 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（20x14） | ¥133.26936 | 259 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,865.77104 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 357 MHz 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15) | ¥614.77735 | 108 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥614.77735 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15) | ¥297.17619 | 36 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥297.17619 | 添加到BOM 立即询价 | |
| | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 119-FPBGA（22x14） | ¥123.63630 | 447 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥1,854.54454 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（20x14） | ¥75.39859 | 144 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥75.39859 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (128K x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（20x14） | ¥79.81676 | 31 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥79.81676 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（20x14） | ¥79.81676 | 36 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥79.81676 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15) | ¥254.00850 | 36 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥254.00850 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15) | ¥254.00850 | 36 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥254.00850 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（20x14） | ¥265.01771 | 36 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥265.01771 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（256K x 36） 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（20x14） | ¥265.01771 | 36 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥265.01771 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（512K x 18） 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（20x14） | ¥265.01771 | 36 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥265.01771 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb（512K x 18） 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（20x14） | ¥265.01771 | 36 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥265.01771 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（20x14） | ¥282.03853 | 67 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥282.03853 | 添加到BOM 立即询价 | |
 | 存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP（20x14） | ¥282.03853 | 36 | 5-7 工作日 | - + 合计: ¥282.03853 | 添加到BOM 立即询价 |