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品牌介绍

GSI Technology,Inc.成立于1995年,是网络、军事、医疗、汽车和其他应用领域高性能半导体存储器解决方案的领先供应商。该公司提供超长的产品支持生命周期、较短的交付周期、市场上最大的高性能内存产品组合之一,以及完整的售前和售后支持。GSI的目标是提供世界上功率、速度、密度、质量、可靠性和交付的最佳价值组合,重点是长期提供高性能内存。

英文全称: GSI Technology Inc.

中文全称: 德国重离子研究中心

英文简称: GSI

品牌地址: https://www.gsitechnology.com/

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品牌型号
描述
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GS81302DT37GE-450I
GS81302DT37GE-450I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 450兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

¥1,763.81274

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合计: ¥17,638.12737

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GS81302TT20GE-500I
GS81302TT20GE-500I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 500 MHz 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

¥1,763.81274

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合计: ¥17,638.12737

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GS81302Q18GE-300I
GS81302Q18GE-300I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

¥1,763.81274

0

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合计: ¥17,638.12737

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GS81302DT38GE-500I
GS81302DT38GE-500I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 500 MHz 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

¥1,764.58773

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合计: ¥17,645.87727

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GS81302DT20GE-500I
GS81302DT20GE-500I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 500 MHz 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

¥1,764.58773

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合计: ¥17,645.87727

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GS880Z36CGT-300I
GS880Z36CGT-300I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 9Mb(256K x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

¥182.73236

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GS8342Q36BGD-250I
GS8342Q36BGD-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥330.71567

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合计: ¥4,960.73501

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GS8342Q18BGD-250I
GS8342Q18BGD-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥330.71567

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GS8342T18BGD-300I
GS8342T18BGD-300I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥330.71567

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GS8342T36BGD-300I
GS8342T36BGD-300I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥330.71567

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GS8342D18BGD-300I
GS8342D18BGD-300I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥330.71567

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GS8342D36BGD-300I
GS8342D36BGD-300I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥330.71567

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GS8182T19BGD-400I
GS8182T19BGD-400I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥277.14551

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合计: ¥4,988.61922

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GS8182D19BGD-400I
GS8182D19BGD-400I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥277.14551

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GS8182D37BGD-400I
GS8182D37BGD-400I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥277.14551

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合计: ¥4,988.61922

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GS832136AGD-250I
GS832136AGD-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥340.03004

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合计: ¥6,120.54065

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GS8321Z36AGD-250I
GS8321Z36AGD-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥340.03004

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GS81282Z18GB-250I
GS81282Z18GB-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 119-FPBGA(22x14)

¥1,538.88448

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合计: ¥15,388.84477

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GS81282Z36GD-200IV
GS81282Z36GD-200IV
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 1.7伏~2伏,2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥1,538.88448

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合计: ¥15,388.84477

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GS81282Z36GD-250I
GS81282Z36GD-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

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