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品牌介绍

GSI Technology,Inc.成立于1995年,是网络、军事、医疗、汽车和其他应用领域高性能半导体存储器解决方案的领先供应商。该公司提供超长的产品支持生命周期、较短的交付周期、市场上最大的高性能内存产品组合之一,以及完整的售前和售后支持。GSI的目标是提供世界上功率、速度、密度、质量、可靠性和交付的最佳价值组合,重点是长期提供高性能内存。

英文全称: GSI Technology Inc.

中文全称: 德国重离子研究中心

英文简称: GSI

品牌地址: https://www.gsitechnology.com/

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描述
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GS82582D18GE-375I
GS82582D18GE-375I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 375兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

¥3,063.74670

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合计: ¥30,637.46700

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GS82582Q36GE-333I
GS82582Q36GE-333I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

¥3,063.74670

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合计: ¥30,637.46700

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GS82582D36GE-375I
GS82582D36GE-375I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 375兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

¥3,063.74670

0

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合计: ¥30,637.46700

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GS82582QT38GE-450I
GS82582QT38GE-450I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 450兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

¥3,063.74670

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合计: ¥30,637.46700

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GS82582Q18GE-333I
GS82582Q18GE-333I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

¥3,063.74670

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GS81313LD36GK-625I
GS81313LD36GK-625I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 1.2伏~1.35伏 时钟频率: 625 MHz 供应商设备包装: 260-BGA (22x14)

¥3,074.61105

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合计: ¥30,746.11050

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GS8321Z36AGD-250IV
GS8321Z36AGD-250IV
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~2伏,2.3伏~2.7伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥561.62251

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合计: ¥10,109.20511

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GS4576C36GL-18I
GS4576C36GL-18I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 144-uBGA (18.5x11)

¥568.17733

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合计: ¥10,227.19194

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GS8662QT37BGD-333I
GS8662QT37BGD-333I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥890.28764

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合计: ¥13,354.31453

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GS8662QT19BGD-333I
GS8662QT19BGD-333I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥890.28764

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GS8182D18BGD-300I
GS8182D18BGD-300I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥202.09299

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合计: ¥3,637.67380

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GS8182R36BGD-300I
GS8182R36BGD-300I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥202.09299

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合计: ¥3,637.67380

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GS8182T18BGD-300I
GS8182T18BGD-300I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥202.09299

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GS8182T36BGD-300I
GS8182T36BGD-300I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥202.09299

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GS8182Q36BGD-300I
GS8182Q36BGD-300I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥202.09299

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GS8182D36BGD-300I
GS8182D36BGD-300I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥202.09299

0

5-7 工作日

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合计: ¥3,637.67380

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GS8182Q18BGD-300I
GS8182Q18BGD-300I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥202.09299

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GS8662DT38BGD-500I
GS8662DT38BGD-500I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 500 MHz 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥935.29016

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合计: ¥14,029.35245

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GS8662TT20BGD-500I
GS8662TT20BGD-500I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 500 MHz 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥935.29016

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GS8662DT20BGD-500I
GS8662DT20BGD-500I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 500 MHz 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

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