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品牌介绍

GSI Technology,Inc.成立于1995年,是网络、军事、医疗、汽车和其他应用领域高性能半导体存储器解决方案的领先供应商。该公司提供超长的产品支持生命周期、较短的交付周期、市场上最大的高性能内存产品组合之一,以及完整的售前和售后支持。GSI的目标是提供世界上功率、速度、密度、质量、可靠性和交付的最佳价值组合,重点是长期提供高性能内存。

英文全称: GSI Technology Inc.

中文全称: 德国重离子研究中心

英文简称: GSI

品牌地址: https://www.gsitechnology.com/

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GS8662R36BGD-400I
GS8662R36BGD-400I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15)

¥1,409.25105

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GS8662Q18BGD-357I
GS8662Q18BGD-357I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 357 MHz 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15)

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GS8662D18BGD-400I
GS8662D18BGD-400I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15)

¥1,409.25105

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GS8662T18BGD-400I
GS8662T18BGD-400I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15)

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GS8662T36BGD-400I
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15)

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GS8662D36BGD-400I
GS8662D36BGD-400I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15)

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GS8662Q37BGD-357I
GS8662Q37BGD-357I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 357 MHz 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15)

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GS81284Z18GB-250I
GS81284Z18GB-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 119-FPBGA(22x14)

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GS8128418GB-250I
GS8128418GB-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 119-FPBGA(22x14)

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GS8128218GD-333I
GS8128218GD-333I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15)

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GS81280Z36GT-333I
GS81280Z36GT-333I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

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GS81282Z18GD-333I
GS81282Z18GD-333I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15)

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GS8128036GT-333I
GS8128036GT-333I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

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GS8128236GD-333I
GS8128236GD-333I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15)

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GS81280Z18GT-333I
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存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

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GS8128018GT-333I
GS8128018GT-333I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

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GS81302Q18AGD-300I
GS81302Q18AGD-300I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15)

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GS81302Q37AGD-450I
GS81302Q37AGD-450I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 450兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15)

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GS81302Q36AGD-300I
GS81302Q36AGD-300I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15)

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GS81313LD18GK-714I
GS81313LD18GK-714I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 1.2伏~1.35伏 时钟频率: 714 MHz 供应商设备包装: 260-BGA (22x14)

¥3,281.03370

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