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品牌介绍

GSI Technology,Inc.成立于1995年,是网络、军事、医疗、汽车和其他应用领域高性能半导体存储器解决方案的领先供应商。该公司提供超长的产品支持生命周期、较短的交付周期、市场上最大的高性能内存产品组合之一,以及完整的售前和售后支持。GSI的目标是提供世界上功率、速度、密度、质量、可靠性和交付的最佳价值组合,重点是长期提供高性能内存。

英文全称: GSI Technology Inc.

中文全称: 德国重离子研究中心

英文简称: GSI

品牌地址: https://www.gsitechnology.com/

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描述
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GS82583EQ18GK-500I
GS82583EQ18GK-500I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 1.25伏~ 1.35伏 时钟频率: 500 MHz 供应商设备包装: 260-BGA (22x14)

¥5,453.90370

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GS82583ET36GK-675I
GS82583ET36GK-675I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.25伏~ 1.35伏 时钟频率: 675 MHz 供应商设备包装: 260-BGA (22x14)

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GS82583EQ36GK-500I
GS82583EQ36GK-500I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.25伏~ 1.35伏 时钟频率: 500 MHz 供应商设备包装: 260-BGA (22x14)

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GS8160Z18DGT-250I
GS8160Z18DGT-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

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GS816018DGT-250I
GS816018DGT-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

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GS816036DGT-250I
GS816036DGT-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

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GS8162Z36DGD-250I
GS8162Z36DGD-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

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GS8162Z18DGD-250I
GS8162Z18DGD-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

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GS816218DGD-250I
GS816218DGD-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

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GS816236DGD-250I
GS816236DGD-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

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GS8673ET18BGK-675I
GS8673ET18BGK-675I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.3伏~ 1.4伏 时钟频率: 675 MHz 供应商设备包装: 260-BGA (22x14)

¥2,376.44981

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GS8673ED18BGK-675I
GS8673ED18BGK-675I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.3伏~ 1.4伏 时钟频率: 675 MHz 供应商设备包装: 260-BGA (22x14)

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GS8673EQ36BGK-675I
GS8673EQ36BGK-675I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.3伏~ 1.4伏 时钟频率: 675 MHz 供应商设备包装: 260-BGA (22x14)

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GS8673ET36BGK-675I
GS8673ET36BGK-675I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.3伏~ 1.4伏 时钟频率: 675 MHz 供应商设备包装: 260-BGA (22x14)

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GS8673EQ18BGK-675I
GS8673EQ18BGK-675I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.3伏~ 1.4伏 时钟频率: 675 MHz 供应商设备包装: 260-BGA (22x14)

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GS832018AGT-250I
GS832018AGT-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

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GS8320Z18AGT-250I
GS8320Z18AGT-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

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GS832036AGT-250I
GS832036AGT-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

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GS8320Z36AGT-250I
GS8320Z36AGT-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

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GS81302TT37GE-450I
GS81302TT37GE-450I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 450兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

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