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品牌介绍

GSI Technology,Inc.成立于1995年,是网络、军事、医疗、汽车和其他应用领域高性能半导体存储器解决方案的领先供应商。该公司提供超长的产品支持生命周期、较短的交付周期、市场上最大的高性能内存产品组合之一,以及完整的售前和售后支持。GSI的目标是提供世界上功率、速度、密度、质量、可靠性和交付的最佳价值组合,重点是长期提供高性能内存。

英文全称: GSI Technology Inc.

中文全称: 德国重离子研究中心

英文简称: GSI

品牌地址: https://www.gsitechnology.com/

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描述
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GS8128218GB-250I
GS8128218GB-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 119-FPBGA(22x14)

¥1,538.88448

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合计: ¥15,388.84477

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GS81282Z36GB-250I
GS81282Z36GB-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 119-FPBGA(22x14)

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合计: ¥15,388.84477

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GS81282Z36GB-200IV
GS81282Z36GB-200IV
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 1.7伏~2伏,2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 119-FPBGA(22x14)

¥1,538.88448

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GS81282Z18GD-250I
GS81282Z18GD-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥1,538.88448

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GS8128236GB-250I
GS8128236GB-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 119-FPBGA(22x14)

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GS8128218GD-250I
GS8128218GD-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥1,538.88448

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GS81280Z18GT-250I
GS81280Z18GT-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

¥1,538.88933

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合计: ¥23,083.33995

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GS81280Z36GT-200IV
GS81280Z36GT-200IV
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 1.7伏~2伏,2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

¥1,538.88933

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合计: ¥23,083.33995

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GS8128036GT-250I
GS8128036GT-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

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GS8128018GT-250I
GS8128018GT-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

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GS8342TT37BGD-450I
GS8342TT37BGD-450I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 450兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥553.45896

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GS8642Z72GC-250I
GS8642Z72GC-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (1M x 72) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 209-BGA (14x22)

¥860.61174

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合计: ¥12,048.56429

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GS8640Z18GT-167IV
GS8640Z18GT-167IV
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~2伏,2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

¥1,030.66873

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合计: ¥18,552.03707

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GS864036GT-167IV
GS864036GT-167IV
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~2伏,2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

¥1,030.66873

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合计: ¥18,552.03707

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GS8642Z36GB-167IV
GS8642Z36GB-167IV
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~2伏,2.3伏~2.7伏 时钟频率: 167兆赫 供应商设备包装: 119-FPBGA(22x14)

¥1,055.58025

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合计: ¥14,778.12344

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GS8662D36BGD-350I
GS8662D36BGD-350I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 350兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥1,057.71929

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GS8662Q18BGD-333I
GS8662Q18BGD-333I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥1,057.71929

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合计: ¥15,865.78938

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GS8662Q36BGD-333I
GS8662Q36BGD-333I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥1,057.71929

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合计: ¥15,865.78938

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GS8662T36BGD-350I
GS8662T36BGD-350I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 350兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥1,057.71929

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合计: ¥15,865.78938

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GS8640Z36GT-250IV
GS8640Z36GT-250IV
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~2伏,2.3伏~2.7伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

¥1,333.89274

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