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品牌介绍

GSI Technology,Inc.成立于1995年,是网络、军事、医疗、汽车和其他应用领域高性能半导体存储器解决方案的领先供应商。该公司提供超长的产品支持生命周期、较短的交付周期、市场上最大的高性能内存产品组合之一,以及完整的售前和售后支持。GSI的目标是提供世界上功率、速度、密度、质量、可靠性和交付的最佳价值组合,重点是长期提供高性能内存。

英文全称: GSI Technology Inc.

中文全称: 德国重离子研究中心

英文简称: GSI

品牌地址: https://www.gsitechnology.com/

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品牌型号
描述
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GS8320Z36AGT-333I
GS8320Z36AGT-333I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

¥522.50281

18

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合计: ¥522.50281

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GS832036AGT-333I
GS832036AGT-333I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

¥522.50281

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合计: ¥522.50281

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GS8322Z36AGD-333I
GS8322Z36AGD-333I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15)

¥542.27592

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GS8322Z36AGB-333I
GS8322Z36AGB-333I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 119-FPBGA(22x14)

¥542.27592

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GS832118AGD-333I
GS832118AGD-333I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15)

¥542.27592

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GS8321Z36AGD-333I
GS8321Z36AGD-333I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15)

¥542.27592

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GS832236AGD-333I
GS832236AGD-333I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15)

¥542.27592

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GS82582Q19GE-400I
GS82582Q19GE-400I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

¥3,367.94850

5

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GS82582D19GE-450I
GS82582D19GE-450I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 450兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

¥3,367.94850

5

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GS82582Q20GE-500I
GS82582Q20GE-500I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 500 MHz 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

¥3,367.94850

5

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GS82582Q37GE-400I
GS82582Q37GE-400I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

¥3,367.94850

5

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GS4576C18GM-18I
GS4576C18GM-18I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (32M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 144-FBGA (18.5x11)

¥631.14631

18

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合计: ¥631.14631

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GS82564Z18GD-400I
GS82564Z18GD-400I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15)

¥3,900.30165

5

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合计: ¥3,900.30165

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GS4576C36GM-18I
GS4576C36GM-18I
存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 576Mb (16M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 533 MHz 供应商设备包装: 144-FBGA (18.5x11)

¥631.14631

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合计: ¥631.14631

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GS8320Z36AGT-333IV
GS8320Z36AGT-333IV
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~2伏,2.3伏~2.7伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

¥684.01948

21

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合计: ¥684.01948

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GS832036AGT-333IV
GS832036AGT-333IV
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~2伏,2.3伏~2.7伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

¥684.01948

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GS84018AGT-150I
GS84018AGT-150I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (256K x 18) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 150兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

¥120.73914

29

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合计: ¥1,811.08715

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GS8161Z36DGD-333I
GS8161Z36DGD-333I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15)

¥282.11096

107

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合计: ¥282.11096

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GS82582QT20GE-450I
GS82582QT20GE-450I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 450兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

¥3,063.74670

0

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合计: ¥30,637.46700

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GS82564Z18GD-250I
GS82564Z18GD-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥3,248.44065

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