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品牌介绍

GSI Technology,Inc.成立于1995年,是网络、军事、医疗、汽车和其他应用领域高性能半导体存储器解决方案的领先供应商。该公司提供超长的产品支持生命周期、较短的交付周期、市场上最大的高性能内存产品组合之一,以及完整的售前和售后支持。GSI的目标是提供世界上功率、速度、密度、质量、可靠性和交付的最佳价值组合,重点是长期提供高性能内存。

英文全称: GSI Technology Inc.

中文全称: 德国重离子研究中心

英文简称: GSI

品牌地址: https://www.gsitechnology.com/

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描述
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GS81314LQ36GK-133I
GS81314LQ36GK-133I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 1.2伏~1.35伏 时钟频率: 1.333千兆赫 供应商设备包装: 260-BGA (22x14)

¥4,486.97655

0

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合计: ¥44,869.76550

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GS81314LT36GK-133I
GS81314LT36GK-133I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 1.2伏~1.35伏 时钟频率: 1.333千兆赫 供应商设备包装: 260-BGA (22x14)

¥4,812.90705

0

5-7 工作日

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合计: ¥48,129.07050

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GS81314LD36GK-133I
GS81314LD36GK-133I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 1.2伏~1.35伏 时钟频率: 1.333千兆赫 供应商设备包装: 260-BGA (22x14)

¥4,812.90705

0

5-7 工作日

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合计: ¥48,129.07050

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GS864018GT-300I
GS864018GT-300I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

¥1,380.64160

72

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合计: ¥1,380.64160

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GS864236GB-300I
GS864236GB-300I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 119-FPBGA(22x14)

¥1,403.52916

84

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合计: ¥1,403.52916

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GS8642Z36GB-250IV
GS8642Z36GB-250IV
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 1.7伏~2伏,2.3伏~2.7伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 119-FPBGA(22x14)

¥1,534.26351

19

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合计: ¥1,534.26351

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GS81284Z36GB-250I
GS81284Z36GB-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 119-FPBGA(22x14)

¥1,953.04799

4

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合计: ¥1,953.04799

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GS8128436GB-250I
GS8128436GB-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 119-FPBGA(22x14)

¥1,953.04799

63

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合计: ¥1,953.04799

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GS81302D37AGD-450I
GS81302D37AGD-450I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 450兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15)

¥2,024.39055

39

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GS8256418GD-400I
GS8256418GD-400I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15)

¥3,900.30165

5

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合计: ¥3,900.30165

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GS8160Z36DGT-333IV
GS8160Z36DGT-333IV
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~2伏,2.3伏~2.7伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

¥393.43433

18

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GS72116AT-10
GS72116AT-10
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TQFP(10x10)

¥82.13449

95

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GS8342D18BGD-400I
GS8342D18BGD-400I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15)

¥505.98899

18

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合计: ¥505.98899

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GS8342D36BGD-400I
GS8342D36BGD-400I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15)

¥505.98899

18

5-7 工作日

- +

合计: ¥505.98899

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GS8342Q18BGD-357I
GS8342Q18BGD-357I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 357 MHz 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15)

¥512.36275

18

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合计: ¥512.36275

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GS8342T18BGD-400I
GS8342T18BGD-400I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15)

¥512.36275

18

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合计: ¥512.36275

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GS8342T36BGD-400I
GS8342T36BGD-400I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15)

¥512.36275

18

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合计: ¥512.36275

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GS8342Q36BGD-357I
GS8342Q36BGD-357I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 357 MHz 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15)

¥512.36275

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GS8320Z18AGT-333I
GS8320Z18AGT-333I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

¥522.50281

34

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GS832018AGT-333I
GS832018AGT-333I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

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