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品牌介绍

GSI Technology,Inc.成立于1995年,是网络、军事、医疗、汽车和其他应用领域高性能半导体存储器解决方案的领先供应商。该公司提供超长的产品支持生命周期、较短的交付周期、市场上最大的高性能内存产品组合之一,以及完整的售前和售后支持。GSI的目标是提供世界上功率、速度、密度、质量、可靠性和交付的最佳价值组合,重点是长期提供高性能内存。

英文全称: GSI Technology Inc.

中文全称: 德国重离子研究中心

英文简称: GSI

品牌地址: https://www.gsitechnology.com/

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品牌型号
描述
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GS8160Z36DGT-250IV
GS8160Z36DGT-250IV
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (512K x 36) 电源电压: 1.7伏~2伏,2.3伏~2.7伏 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

¥305.87172

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合计: ¥5,505.69101

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GS81302QT19GE-300I
GS81302QT19GE-300I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

¥1,600.10147

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合计: ¥16,001.01468

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GS81302QT37GE-300I
GS81302QT37GE-300I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

¥1,600.10147

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GS864018GT-250I
GS864018GT-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

¥765.64696

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GS81302D36GE-350I
GS81302D36GE-350I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 350兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

¥1,600.10147

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GS8640Z18GT-250I
GS8640Z18GT-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (4M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

¥765.64696

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GS81302D18GE-350I
GS81302D18GE-350I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 350兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

¥1,600.10147

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GS8640Z36GT-250I
GS8640Z36GT-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

¥765.64696

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GS81302T36GE-350I
GS81302T36GE-350I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 350兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

¥1,600.10147

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GS864036GT-250I
GS864036GT-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)

¥765.64696

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GS81302T18GE-350I
GS81302T18GE-350I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 350兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

¥1,600.10147

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GS8642Z36GB-250I
GS8642Z36GB-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 119-FPBGA(22x14)

¥783.44899

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GS864236GB-250I
GS864236GB-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 72Mb (2M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 119-FPBGA(22x14)

¥783.44899

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GS8256418GD-250I
GS8256418GD-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥3,248.44065

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GS82582DT38GE-500I
GS82582DT38GE-500I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 500 MHz 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

¥3,248.44065

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GS8256436GD-250I
GS8256436GD-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥3,248.44065

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合计: ¥32,484.40650

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GS82582TT38GE-500I
GS82582TT38GE-500I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 500 MHz 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

¥3,248.44065

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合计: ¥32,484.40650

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GS8256436GB-250I
GS8256436GB-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 119-FPBGA(22x14)

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GS82564Z36GD-250I
GS82564Z36GD-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)

¥3,248.44065

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合计: ¥32,484.40650

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GS82564Z36GB-250I
GS82564Z36GB-250I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 119-FPBGA(22x14)

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