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品牌介绍

GSI Technology,Inc.成立于1995年,是网络、军事、医疗、汽车和其他应用领域高性能半导体存储器解决方案的领先供应商。该公司提供超长的产品支持生命周期、较短的交付周期、市场上最大的高性能内存产品组合之一,以及完整的售前和售后支持。GSI的目标是提供世界上功率、速度、密度、质量、可靠性和交付的最佳价值组合,重点是长期提供高性能内存。

英文全称: GSI Technology Inc.

中文全称: 德国重离子研究中心

英文简称: GSI

品牌地址: https://www.gsitechnology.com/

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描述
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GS81313LD36GK-714I
GS81313LD36GK-714I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 1.2伏~1.35伏 时钟频率: 714 MHz 供应商设备包装: 260-BGA (22x14)

¥3,281.03370

5

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GS82582Q38GE-500I
GS82582Q38GE-500I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 500 MHz 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

¥3,367.94850

5

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GS82582D37GE-450I
GS82582D37GE-450I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 450兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

¥3,367.94850

5

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GS82582T19GE-450I
GS82582T19GE-450I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 450兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

¥3,367.94850

5

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GS82582D38GE-550I
GS82582D38GE-550I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 550 MHz 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)

¥3,563.50680

5

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GS81313LQ18GK-800I
GS81313LQ18GK-800I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 1.2伏~1.35伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 260-BGA (22x14)

¥3,704.74335

5

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GS81313LQ36GK-800I
GS81313LQ36GK-800I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 1.2伏~1.35伏 时钟频率: 800 MHz 供应商设备包装: 260-BGA (22x14)

¥3,704.74335

5

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GS8256418GB-400I
GS8256418GB-400I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 119-FPBGA(22x14)

¥3,900.30165

5

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GS82564Z18GB-400I
GS82564Z18GB-400I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 119-FPBGA(22x14)

¥3,900.30165

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GS8256436GD-400I
GS8256436GD-400I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15)

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GS8256436GB-400I
GS8256436GB-400I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 119-FPBGA(22x14)

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GS82564Z36GB-400I
GS82564Z36GB-400I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 119-FPBGA(22x14)

¥3,900.30165

5

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GS82564Z36GD-400I
GS82564Z36GD-400I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 400兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15)

¥3,900.30165

5

5-7 工作日

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合计: ¥3,900.30165

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GS81314LD19GK-933I
GS81314LD19GK-933I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 1.25伏~ 1.35伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 260-BGA (22x14)

¥4,508.70525

5

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GS81314LQ19GK-933I
GS81314LQ19GK-933I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 1.25伏~ 1.35伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 260-BGA (22x14)

¥4,508.70525

5

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GS81314LQ37GK-933I
GS81314LQ37GK-933I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 1.25伏~ 1.35伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 260-BGA (22x14)

¥4,508.70525

5

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GS81314LD37GK-933I
GS81314LD37GK-933I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 1.25伏~ 1.35伏 时钟频率: 933兆赫 供应商设备包装: 260-BGA (22x14)

¥4,508.70525

5

5-7 工作日

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GS82583ED18GK-625I
GS82583ED18GK-625I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 1.25伏~ 1.35伏 时钟频率: 675 MHz 供应商设备包装: 260-BGA (22x14)

¥5,051.92275

14

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GS82583ED36GK-675I
GS82583ED36GK-675I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (8M x 36) 电源电压: 1.25伏~ 1.35伏 时钟频率: 675 MHz 供应商设备包装: 260-BGA (22x14)

¥5,453.90370

10

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GS82583ET18GK-675I
GS82583ET18GK-675I
存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 288Mb (16M x 18) 电源电压: 1.25伏~ 1.35伏 时钟频率: 675 MHz 供应商设备包装: 260-BGA (22x14)

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