GS81280Z18GT-250I
- 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 100-TQFP(20x14)
- 品牌: 德国重离子研究中心 (GSI)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
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- 贸泽
起订量: 15
数量 | 单价 | 合计 |
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15+ | 1538.88933 | 23083.33995 |
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 存储类型 Volatile
- 储存接口 并联
- 单字、单页写入耗时 -
- 安装类别 表面安装
- 访达时期 -
- 存储格式 SRAM
- 包装/外壳 100-LQFP
- 时钟频率 250兆赫
- 制造厂商 德国重离子研究中心 (GSI)
- 工作温度 -40摄氏度~100摄氏度(TJ)
- 存储容量 144Mb (8M x 18)
- 技术 SRAM-同步,ZBT
- 电源电压 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V
- 供应商设备包装 100-TQFP(20x14)
GS81280Z18GT-250I 产品详情
GSI Technology NBT SRAMs are 144Mbit and 288Mbit Synchronous Static SRAMs that allow utilization of all available bus bandwidth. The SRAMs achieve this by eliminating the need to insert deselect cycles when the device is switched from read to write cycles. The devices' simplified interface is designed to use a data bus's maximum bandwidth. Because it is a synchronous device, address, data inputs, and read/write control inputs are captured on the rising edge of the input clock. Burst order control (LBO) must be tied to a power rail for proper operation. Asynchronous inputs include the Sleep mode enable (ZZ) and Output Enable. Output Enable can be used to override the synchronous control of the output drivers and turn the RAM's output drivers off at any time. The NBT devices are ideal for military, industrial, networking, automotive, and medical imaging applications.
GS81280Z18GT-250I所属分类:存储器,GS81280Z18GT-250I 由 德国重离子研究中心 (GSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。GS81280Z18GT-250I价格参考¥1538.889330,你可以下载 GS81280Z18GT-250I中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询GS81280Z18GT-250I规格参数、现货库存、封装信息等信息!
德国重离子研究中心 (GSI)
GSI Technology,Inc.成立于1995年,是网络、军事、医疗、汽车和其他应用领域高性能半导体存储器解决方案的领先供应商。该公司提供超长的产品支持生命周期、较短的交付周期、市场上最大的高性能...