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GS81282Z36GD-200IV
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GS81282Z36GD-200IV

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (4M x 36) 电源电压: 1.7伏~2伏,2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)
  • 品牌: 德国重离子研究中心 (GSI)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 10

数量 单价 合计
10+ 1538.88447 15388.84477
  • 库存: 0
  • 单价: ¥1,538.88448
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥15,388.84
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 安装类别 表面安装
  • 访达时期 -
  • 存储格式 SRAM
  • 时钟频率 200兆赫
  • 包装/外壳 165-LBGA
  • 制造厂商 德国重离子研究中心 (GSI)
  • 存储容量 144Mb (4M x 36)
  • 工作温度 -40摄氏度~100摄氏度(TJ)
  • 技术 SRAM-同步,ZBT
  • 电源电压 1.7伏~2伏,2.3伏~2.7伏
  • 供应商设备包装 165-FPBGA (15x13)

GS81282Z36GD-200IV 产品详情

GS81282Z36GD-200IV所属分类:存储器,GS81282Z36GD-200IV 由 德国重离子研究中心 (GSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。GS81282Z36GD-200IV价格参考¥1538.884477,你可以下载 GS81282Z36GD-200IV中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询GS81282Z36GD-200IV规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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