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GS81302TT20GE-500I
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GS81302TT20GE-500I

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 144Mb (8M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 500 MHz 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x17)
  • 品牌: 德国重离子研究中心 (GSI)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 10

数量 单价 合计
10+ 1763.81273 17638.12737
  • 库存: 0
  • 单价: ¥1,763.81274
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥17,638.13
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 安装类别 表面安装
  • 访达时期 -
  • 存储格式 SRAM
  • 电源电压 1.7伏~1.9伏
  • 包装/外壳 165-LBGA
  • 制造厂商 德国重离子研究中心 (GSI)
  • 工作温度 -40摄氏度~100摄氏度(TJ)
  • 存储容量 144Mb (8M x 18)
  • 供应商设备包装 165-FPBGA (15x17)
  • 技术 SRAM-四端口,同步
  • 时钟频率 500 MHz

GS81302TT20GE-500I 产品详情

GS81302TT20GE-500I所属分类:存储器,GS81302TT20GE-500I 由 德国重离子研究中心 (GSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。GS81302TT20GE-500I价格参考¥1763.812737,你可以下载 GS81302TT20GE-500I中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询GS81302TT20GE-500I规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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