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GS8342D18BGD-300I
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GS8342D18BGD-300I

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (2M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 300兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)
  • 品牌: 德国重离子研究中心 (GSI)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 15

数量 单价 合计
15+ 330.71566 4960.73500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥330.71567
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4,960.74
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 安装类别 表面安装
  • 访达时期 -
  • 存储格式 SRAM
  • 电源电压 1.7伏~1.9伏
  • 时钟频率 300兆赫
  • 包装/外壳 165-LBGA
  • 制造厂商 德国重离子研究中心 (GSI)
  • 工作温度 -40摄氏度~100摄氏度(TJ)
  • 技术 SRAM-四端口,同步
  • 存储容量 36Mb (2M x 18)
  • 供应商设备包装 165-FPBGA (15x13)

GS8342D18BGD-300I 产品详情

GS8342D18BGD-300I所属分类:存储器,GS8342D18BGD-300I 由 德国重离子研究中心 (GSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。GS8342D18BGD-300I价格参考¥330.715667,你可以下载 GS8342D18BGD-300I中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询GS8342D18BGD-300I规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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