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GS8321Z36AGD-250I
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GS8321Z36AGD-250I

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 36Mb (1M x 36) 电源电压: 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V 时钟频率: 250兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (15x13)
  • 品牌: 德国重离子研究中心 (GSI)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 18

数量 单价 合计
18+ 340.03003 6120.54064
  • 库存: 0
  • 单价: ¥340.03004
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥6,120.54
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 安装类别 表面安装
  • 访达时期 -
  • 存储格式 SRAM
  • 存储容量 36Mb (1M x 36)
  • 包装/外壳 165-LBGA
  • 时钟频率 250兆赫
  • 制造厂商 德国重离子研究中心 (GSI)
  • 工作温度 -40摄氏度~100摄氏度(TJ)
  • 技术 SRAM-同步,ZBT
  • 电源电压 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V
  • 供应商设备包装 165-FPBGA (15x13)

GS8321Z36AGD-250I 产品详情

GS8321Z36AGD-250I所属分类:存储器,GS8321Z36AGD-250I 由 德国重离子研究中心 (GSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。GS8321Z36AGD-250I价格参考¥340.030036,你可以下载 GS8321Z36AGD-250I中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询GS8321Z36AGD-250I规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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