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GS8182Q18BGD-333I
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GS8182Q18BGD-333I

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 18Mb (1M x 18) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 165-FPBGA (13x15)
  • 品牌: 德国重离子研究中心 (GSI)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 254.00850 254.00850
18+ 238.83868 4299.09631
36+ 230.54751 8299.71068
54+ 223.25833 12055.95014
90+ 196.53044 17687.73978
234+ 194.90643 45608.10672
  • 库存: 36
  • 单价: ¥254.00850
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥254.01
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 访达时期 -
  • 存储格式 SRAM
  • 电源电压 1.7伏~1.9伏
  • 时钟频率 333兆赫
  • 包装/外壳 165-LBGA
  • 存储容量 18Mb (1M x 18)
  • 制造厂商 德国重离子研究中心 (GSI)
  • 供应商设备包装 165-FPBGA (13x15)
  • 技术 SRAM-四端口,同步,QDR II

GS8182Q18BGD-333I 产品详情

GS8182Q18BGD-333I所属分类:存储器,GS8182Q18BGD-333I 由 德国重离子研究中心 (GSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。GS8182Q18BGD-333I价格参考¥254.008503,你可以下载 GS8182Q18BGD-333I中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询GS8182Q18BGD-333I规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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