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MR20H40CDF

  • 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 50 MHz 供应商设备包装: 8-DFN-EP, Small Flag (5x6)
  • 品牌: 埃弗斯宾半导体 (Everspin)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 162.89282 162.89282
10+ 151.68081 1516.80812
25+ 150.05840 3751.46005
40+ 146.35547 5854.21880
80+ 128.47818 10278.25456
230+ 127.76475 29385.89388
  • 库存: 2311
  • 单价: ¥162.89282
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥162.89
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 存储类型 Non-Volatile
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 储存接口 串行外设接口
  • 访达时期 -
  • 存储容量 4Mb (512K x 8)
  • 电源电压 3V~3.6V
  • 时钟频率 50 MHz
  • 制造厂商 埃弗斯宾半导体 (Everspin)
  • 存储格式 RAM
  • 技术 磁阻式RAM
  • 包装/外壳 8-VDFN Exposed Pad
  • 供应商设备包装 8-DFN-EP, Small Flag (5x6)

MR20H40CDF 产品详情

MR20H40CDF所属分类:存储器,MR20H40CDF 由 埃弗斯宾半导体 (Everspin) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MR20H40CDF价格参考¥162.892821,你可以下载 MR20H40CDF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MR20H40CDF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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