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品牌介绍

Everspin Technologies,Inc.总部位于亚利桑那州钱德勒市,在设计、制造离散和嵌入式磁阻RAM(MRAM)和自旋转矩MRAM(ST-MRAM)并将其商业化销售到数据持久性和完整性、低延迟和安全性至关重要的市场和应用中,是全球领先的公司。Everspin在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场部署了超过7000万个MRAM和ST-MRAM产品,建立了世界上最强大、增长最快的MRAM用户基础。

英文全称: Everspin Technologies Inc.

中文全称: 埃弗斯宾半导体

英文简称: Everspin

品牌地址: http://everspin.com/

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描述
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MR25H256CDF
MR25H256CDF
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥57.79834

3697

5-7 工作日

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合计: ¥57.79834

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MR4A08BMA35
MR4A08BMA35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (10x10)

¥316.15259

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥316.15259

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MR25H256AMDF
MR25H256AMDF
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥76.62988

4414

5-7 工作日

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合计: ¥76.62988

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MR2A08AYS35
MR2A08AYS35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥349.57577

729

2-3 工作日

- +

合计: ¥349.57577

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MR2A08ACYS35
MR2A08ACYS35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥179.04946

626

2-3 工作日

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合计: ¥179.04946

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EMD4E001G16G2-150CAS2
EMD4E001G16G2-150CAS2
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.14伏~1.26伏 时钟频率: 667 MHz 供应商设备包装: 96-BGA(10x13)

¥1,049.64107

0

5-7 工作日

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合计: ¥1,049.64107

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MR1A16AVYS35
MR1A16AVYS35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥153.98405

270

5-7 工作日

- +

合计: ¥153.98405

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MR4A16BCYS35
MR4A16BCYS35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 54-TSOP2

¥239.88866

0

2-3 工作日

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合计: ¥239.88866

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MR25H40MDF
MR25H40MDF
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN-EP, Small Flag (5x6)

¥241.18857

4064

5-7 工作日

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合计: ¥241.18857

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MR5A16ACMA35
MR5A16ACMA35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (10x10)

¥520.69208

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥520.69208

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MR25H128ACDF
MR25H128ACDF
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN-EP, Small Flag (5x6)

¥34.04163

916

5-7 工作日

- +

合计: ¥34.04163

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MR1A16ACMA35
MR1A16ACMA35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥141.52627

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥141.52627

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MR256A08BYS35
MR256A08BYS35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥57.65348

934

5-7 工作日

- +

合计: ¥57.65348

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MR2A16AVMA35
MR2A16AVMA35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥240.24699

475

5-7 工作日

- +

合计: ¥240.24699

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MR2A16AVYS35
MR2A16AVYS35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥242.99930

32

5-7 工作日

- +

合计: ¥242.99930

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MR4A16BCYS35R
MR4A16BCYS35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 54-TSOP2

¥306.22981

1333

5-7 工作日

- +

合计: ¥306.22981

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MR25H40CDF
MR25H40CDF
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN-EP, Small Flag (5x6)

¥89.35133

8737

2-3 工作日

- +

合计: ¥89.35133

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MR256A08BCMA35
MR256A08BCMA35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥71.12528

696

5-7 工作日

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合计: ¥71.12528

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MR4A16BCMA35
MR4A16BCMA35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥362.14500

850

5-7 工作日

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合计: ¥362.14500

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MR20H40CDF
MR20H40CDF
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 50 MHz 供应商设备包装: 8-DFN-EP, Small Flag (5x6)

¥162.89282

2311

5-7 工作日

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合计: ¥162.89282

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