厂家采购价格_埃弗斯宾半导体(Everspin)

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品牌介绍

Everspin Technologies，Inc.总部位于亚利桑那州钱德勒市，在设计、制造离散和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋转矩MRAM（ST-MRAM）并将其商业化销售到数据持久性和完整性、低延迟和安全性至关重要的市场和应用中，是全球领先的公司。Everspin在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场部署了超过7000万个MRAM和ST-MRAM产品，建立了世界上最强大、增长最快的MRAM用户基础。

英文全称: Everspin Technologies Inc.

中文全称: 埃弗斯宾半导体

英文简称: Everspin

品牌地址: http://everspin.com/

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品牌型号	描述	价格	库存	交期	数量	操作
MR25H10MDFR 埃弗斯宾半导体 (Everspin)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏时钟频率: 40兆赫供应商设备包装: 8-DFN-EP, Small Flag (5x6)	¥62.47001	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥249,880.05200	添加到BOM 立即询价
MR4A16BMA35R 埃弗斯宾半导体 (Everspin)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (10x10)	¥226.41305	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥566,032.63500	添加到BOM 立即询价
MR4A08BMA35R 埃弗斯宾半导体 (Everspin)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (10x10)	¥258.35424	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥645,885.60750	添加到BOM 立即询价
MR0A08BSO35R 埃弗斯宾半导体 (Everspin)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOIC	¥15.19560	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥15.19560	添加到BOM 立即询价
MR0A08BCSO35 埃弗斯宾半导体 (Everspin)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOIC	¥57.16097	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥57.16097	添加到BOM 立即询价
MR0A08BCSO35R 埃弗斯宾半导体 (Everspin)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOIC	¥42.61722	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥42.61722	添加到BOM 立即询价
MR256A08BCSO35 埃弗斯宾半导体 (Everspin)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOIC	¥121.81109	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥121.81109	添加到BOM 立即询价
MR256A08BCSO35R 埃弗斯宾半导体 (Everspin)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOIC	¥29.63795	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥29.63795	添加到BOM 立即询价
MR256A08BSO35R 埃弗斯宾半导体 (Everspin)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOIC	¥35.50470	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥35.50470	添加到BOM 立即询价
MR20H40DF 埃弗斯宾半导体 (Everspin)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 50 MHz 供应商设备包装: 8-DFN-EP, Small Flag (5x6)	¥37.99625	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥37.99625	添加到BOM 立即询价
MR20H40DFR 埃弗斯宾半导体 (Everspin)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 50 MHz 供应商设备包装: 8-DFN-EP, Small Flag (5x6)	¥20.38152	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥20.38152	添加到BOM 立即询价
MR0A08BSO35 埃弗斯宾半导体 (Everspin)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOIC	¥86.36434	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥86.36434	添加到BOM 立即询价
MR256A08BSO35 埃弗斯宾半导体 (Everspin)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 32-SOIC	¥28.65291	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥28.65291	添加到BOM 立即询价
MR4A08BCMA35 埃弗斯宾半导体 (Everspin)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (10x10)	¥363.66601	393	5-7 工作日	- + 合计: ¥363.66601	添加到BOM 立即询价
MR25H40DF 埃弗斯宾半导体 (Everspin)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 40兆赫供应商设备包装: 8-DFN-EP, Small Flag (5x6)	¥105.81877	1879	5-7 工作日	- + 合计: ¥105.81877	添加到BOM 立即询价
MR0A16ACYS35 埃弗斯宾半导体 (Everspin)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2	¥112.69952	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥112.69952	添加到BOM 立即询价
MR25H40CDC 埃弗斯宾半导体 (Everspin)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 40兆赫供应商设备包装: 8-DFN-EP, Large Flag (5x6)	¥149.05888	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥149.05888	添加到BOM 立即询价
MR2A16AMA35 埃弗斯宾半导体 (Everspin)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)	¥194.03729	489	5-7 工作日	- + 合计: ¥194.03729	添加到BOM 立即询价
MR2A16AYS35 埃弗斯宾半导体 (Everspin)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2	¥194.47187	0	5-7 工作日	- + 合计: ¥194.47187	添加到BOM 立即询价
MR2A16ACYS35 埃弗斯宾半导体 (Everspin)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2	¥152.52362	684	2-3 工作日	- + 合计: ¥152.52362	立即购买加入购物车

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