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品牌介绍

Everspin Technologies,Inc.总部位于亚利桑那州钱德勒市,在设计、制造离散和嵌入式磁阻RAM(MRAM)和自旋转矩MRAM(ST-MRAM)并将其商业化销售到数据持久性和完整性、低延迟和安全性至关重要的市场和应用中,是全球领先的公司。Everspin在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场部署了超过7000万个MRAM和ST-MRAM产品,建立了世界上最强大、增长最快的MRAM用户基础。

英文全称: Everspin Technologies Inc.

中文全称: 埃弗斯宾半导体

英文简称: Everspin

品牌地址: http://everspin.com/

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描述
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MR25H128ACDFR
MR25H128ACDFR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN-EP, Small Flag (5x6)

¥25.31394

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5-7 工作日

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合计: ¥101,255.74400

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MR0A16ACYS35R
MR0A16ACYS35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥88.97903

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5-7 工作日

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合计: ¥133,468.54050

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MR2A08AMYS35
MR2A08AMYS35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥198.92625

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5-7 工作日

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合计: ¥53,710.08723

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MR5A16AYS35
MR5A16AYS35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 54-TSOP2

¥402.41552

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5-7 工作日

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合计: ¥86,921.75318

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MR5A16AMA35
MR5A16AMA35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (10x10)

¥402.41552

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5-7 工作日

- +

合计: ¥148,088.91283

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MR5A16AYS35R
MR5A16AYS35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 54-TSOP2

¥403.71925

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5-7 工作日

- +

合计: ¥403,719.24600

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MR5A16AMA35R
MR5A16AMA35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (10x10)

¥403.71925

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,009,298.11500

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MR4A08BYS35R
MR4A08BYS35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥199.36082

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5-7 工作日

- +

合计: ¥299,041.23450

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MR256A08BCYS35R
MR256A08BCYS35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥50.08465

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥75,126.98100

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MR2A08AMYS35R
MR2A08AMYS35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥200.99048

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥301,485.71250

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MR25H128AMDF
MR25H128AMDF
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN-EP, Small Flag (5x6)

¥53.34396

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5-7 工作日

- +

合计: ¥60,812.11326

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MR5A16ACYS35R
MR5A16ACYS35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 54-TSOP2

¥428.70725

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥428,707.25100

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MR5A16ACMA35R
MR5A16ACMA35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (10x10)

¥428.70725

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,071,768.12750

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MR25H10CDCR
MR25H10CDCR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN-EP, Large Flag (5x6)

¥50.95380

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥203,815.20800

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MR4A16BCMA35R
MR4A16BCMA35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (10x10)

¥295.18439

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥737,960.97500

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MR2A16ACYS35R
MR2A16ACYS35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥165.89863

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥248,847.93750

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MR2A16ACMA35R
MR2A16ACMA35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥166.55049

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5-7 工作日

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合计: ¥333,100.97200

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MR2A08ACYS35R
MR2A08ACYS35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥167.74556

0

5-7 工作日

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合计: ¥251,618.34600

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MR2A08ACMA35R
MR2A08ACMA35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥168.18014

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5-7 工作日

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合计: ¥336,360.27600

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MR25H128APDF
MR25H128APDF
IC RAM 128K SPI 40MHZ 8DFN

¥43.89197

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合计: ¥50,036.85036

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