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MR2A08AMYS35R

  • 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2
  • 品牌: 埃弗斯宾半导体 (Everspin)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1500

数量 单价 合计
1500+ 200.99047 301485.71250
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    - +
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 储存接口 并联
  • 存储类型 Non-Volatile
  • 安装类别 表面安装
  • 时钟频率 -
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度(TA)
  • 存储容量 4Mb (512K x 8)
  • 电源电压 3V~3.6V
  • 包装/外壳 44-TSOP (0.400", 10.16毫米 Width)
  • 单字、单页写入耗时 35ns
  • 访达时期 35纳秒
  • 制造厂商 埃弗斯宾半导体 (Everspin)
  • 存储格式 RAM
  • 技术 磁阻式RAM
  • 供应商设备包装 44-TSOP2

MR2A08AMYS35R 产品详情

MR2A08AMYS35R所属分类:存储器,MR2A08AMYS35R 由 埃弗斯宾半导体 (Everspin) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MR2A08AMYS35R价格参考¥200.990475,你可以下载 MR2A08AMYS35R中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MR2A08AMYS35R规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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