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品牌介绍

Everspin Technologies,Inc.总部位于亚利桑那州钱德勒市,在设计、制造离散和嵌入式磁阻RAM(MRAM)和自旋转矩MRAM(ST-MRAM)并将其商业化销售到数据持久性和完整性、低延迟和安全性至关重要的市场和应用中,是全球领先的公司。Everspin在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场部署了超过7000万个MRAM和ST-MRAM产品,建立了世界上最强大、增长最快的MRAM用户基础。

英文全称: Everspin Technologies Inc.

中文全称: 埃弗斯宾半导体

英文简称: Everspin

品牌地址: http://everspin.com/

久芯自营
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品牌型号
描述
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操作
MR20H40CDFR
MR20H40CDFR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 50 MHz 供应商设备包装: 8-DFN-EP, Small Flag (5x6)

¥130.26356

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5-7 工作日

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合计: ¥521,054.22800

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MR0A16AVYS35
MR0A16AVYS35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥95.82357

0

5-7 工作日

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合计: ¥25,872.36309

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MR0A08BYS35R
MR0A08BYS35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥81.48263

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5-7 工作日

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合计: ¥122,223.93750

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MR4A16BYS35
MR4A16BYS35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 54-TSOP2

¥271.89847

974

5-7 工作日

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合计: ¥271.89847

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MR0A16AMA35R
MR0A16AMA35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥82.46042

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5-7 工作日

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合计: ¥164,920.83400

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MR2A16AMYS35
MR2A16AMYS35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥198.49168

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5-7 工作日

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合计: ¥53,592.75225

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MR4A08BCMA35R
MR4A08BCMA35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (10x10)

¥295.94489

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5-7 工作日

- +

合计: ¥739,862.23500

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MR2A16AMYS35R
MR2A16AMYS35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥200.55590

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5-7 工作日

- +

合计: ¥300,833.85150

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MR3A16ACMA35R
MR3A16ACMA35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (10x10)

¥202.51148

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥506,278.71000

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MR0A16AVYS35R
MR0A16AVYS35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥97.77915

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥146,668.72500

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MR4A08BCYS35R
MR4A08BCYS35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥281.82124

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥422,731.85850

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MR25H256MDCR
MR25H256MDCR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥72.13928

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5-7 工作日

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合计: ¥288,557.13600

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MR0A08BCYS35R
MR0A08BCYS35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥97.99644

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥146,994.65550

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MR5A16AUMA45
MR5A16AUMA45
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (10x10)

¥489.87354

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥180,273.46346

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MR5A16AUYS45
MR5A16AUYS45
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 54-TSOP2

¥489.87354

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥105,812.68507

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MR5A16AUYS45R
MR5A16AUYS45R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 54-TSOP2

¥491.17726

0

5-7 工作日

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合计: ¥491,177.26400

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MR5A16AUMA45R
MR5A16AUMA45R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (10x10)

¥491.17726

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥1,227,943.16000

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MR4A16BYS35R
MR4A16BYS35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 54-TSOP2

¥219.13394

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5-7 工作日

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合计: ¥219,133.94000

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MR0A08BCMA35
MR0A08BCMA35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥84.30736

0

5-7 工作日

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合计: ¥58,677.91978

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MR0DL08BMA45
MR0DL08BMA45
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥99.73473

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5-7 工作日

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合计: ¥69,614.84363

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