MR5A16AUYS45
- 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 54-TSOP2
- 品牌: 埃弗斯宾半导体 (Everspin)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 216
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 216+ | 489.87354 | 105812.68507 |
- 库存: 0
- 单价: ¥489.87354
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数量:
- +
- 总计: ¥105,812.69
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 储存接口 并联
- 存储类型 Non-Volatile
- 安装类别 表面安装
- 时钟频率 -
- 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度（TA）
- 电源电压 3V~3.6V
- 包装/外壳 54-TSOP (0.400", 10.16毫米 Width)
- 存储容量 32Mb (2M x 16)
- 单字、单页写入耗时 45ns
- 访达时期 45纳秒
- 制造厂商 埃弗斯宾半导体 (Everspin)
- 存储格式 RAM
- 技术 磁阻式RAM
- 供应商设备包装 54-TSOP2
MR5A16AUYS45 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | MR5FB40L0 | 斯塔克波尔 (Stackpole) | 电阻: 40毫欧姆 公差: ±1% 功率（瓦特）: 5W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 轴的 工作温度: -55摄氏度~275摄氏度 | ¥3.85322 |
 | MR5FBR100 | 斯塔克波尔 (Stackpole) | 电阻: 100毫欧姆 公差: ±1% 功率（瓦特）: 5W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 轴的 工作温度: -55摄氏度~275摄氏度 | ¥3.94014 |
 | MR5JTR120 | 斯塔克波尔 (Stackpole) | 电阻: 120毫欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 5W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 轴的 工作温度: -55摄氏度~275摄氏度 | ¥3.94014 |
 | MR5FBR200 | 斯塔克波尔 (Stackpole) | 电阻: 200毫欧姆 公差: ±1% 功率（瓦特）: 5W 组成成分: 金属元素 包装/外壳: 轴的 工作温度: -55摄氏度~275摄氏度 | ¥3.94014 |
 | MR5FB70L0 | 斯塔克波尔 (Stackpole) | 电阻: 70 mOhms 公差: ±1% 功率（瓦特）: 5W 组成成分: 金属元素 包装/外壳: 轴的 工作温度: -55摄氏度~275摄氏度 | ¥3.94014 |
 | MR5JT50L0 | 斯塔克波尔 (Stackpole) | 电阻: 50 mOhms 公差: ±5% 功率（瓦特）: 5W 组成成分: 金属元素 包装/外壳: 轴的 工作温度: -55摄氏度~275摄氏度 | ¥3.94014 |
 | MR5JT15L0 | 斯塔克波尔 (Stackpole) | 电阻: 15毫欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 5W 组成成分: 金属元素 包装/外壳: 轴的 工作温度: -55摄氏度~275摄氏度 | ¥3.94014 |
 | MR5JTR100 | 斯塔克波尔 (Stackpole) | 电阻: 100毫欧姆 公差: ±5% 功率（瓦特）: 5W 组成成分: 金属元素 包装/外壳: 轴的 工作温度: -55摄氏度~275摄氏度 | ¥3.94014 |
 | MR5FB20L0 | 斯塔克波尔 (Stackpole) | 电阻: 20毫欧姆 公差: ±1% 功率（瓦特）: 5W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 轴的 工作温度: -55摄氏度~275摄氏度 | ¥7.53262 |
 | MR5FB25L0 | 斯塔克波尔 (Stackpole) | 电阻: 25毫欧姆 公差: ±1% 功率（瓦特）: 5W 组成成分: 金属箔 包装/外壳: 轴的 工作温度: -55摄氏度~275摄氏度 | ¥7.53262 |
MR5A16AUYS45所属分类：存储器，MR5A16AUYS45 由 埃弗斯宾半导体 (Everspin) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MR5A16AUYS45价格参考￥489.873542，你可以下载 MR5A16AUYS45中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MR5A16AUYS45规格参数、现货库存、封装信息等信息！
埃弗斯宾半导体 (Everspin)
Everspin Technologies，Inc.总部位于亚利桑那州钱德勒市，在设计、制造离散和嵌入式磁阻RAM（MRAM）和自旋转矩MRAM（ST-MRAM）并将其商业化销售到数据持久性和完整性、低...
