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MR3A16ACMA35R

Name: MR3A16ACMA35R
Brand: 埃弗斯宾半导体 (Everspin)
SKU: 7640795-MR3A16ACMA35R
Price: 202.511484 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (10x10)
品牌: 埃弗斯宾半导体 (Everspin)
交期:5-7 工作日

渠道:

自营
得捷
贸泽

起订量: 2500

数量	单价	合计
2500+	202.51148	506278.71000

库存: 0
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数量:
- +
总计: ¥506,278.71

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规格参数

部件状态可供货
储存接口并联
存储类型 Non-Volatile
工作温度 -40摄氏度~85摄氏度（TA）
安装类别表面安装
时钟频率 -
电源电压 3V~3.6V
存储容量 8Mb (512K x 16)
单字、单页写入耗时 35ns
访达时期 35纳秒
制造厂商埃弗斯宾半导体 (Everspin)
存储格式 RAM
技术磁阻式RAM
包装/外壳 48-LFBGA
供应商设备包装 48-FBGA (10x10)

MR3A16ACMA35R 相关器件

型号	制造商	描述	价格
MR3JB70L0	斯塔克波尔 (Stackpole)	电阻: 70 mOhms 公差: ±5% 功率（瓦特）: 3瓦组成成分: 金属元素包装/外壳: 轴的工作温度: -55摄氏度~275摄氏度	¥2.70885
MR3JB13L0	斯塔克波尔 (Stackpole)	电阻: 13毫欧姆公差: ±5% 功率（瓦特）: 3瓦组成成分: 金属元素包装/外壳: 轴的工作温度: -55摄氏度~275摄氏度	¥2.70885
MR3JBR100	斯塔克波尔 (Stackpole)	电阻: 100毫欧姆公差: ±5% 功率（瓦特）: 3瓦组成成分: 金属元素包装/外壳: 轴的工作温度: -55摄氏度~275摄氏度	¥2.70885
MR3JB68L0	斯塔克波尔 (Stackpole)	电阻: 68 mOhms 公差: ±5% 功率（瓦特）: 3瓦组成成分: 金属元素包装/外壳: 轴的工作温度: -55摄氏度~275摄氏度	¥2.70885
MR3JB8L00	斯塔克波尔 (Stackpole)	电阻: 8 mOhms 公差: ±5% 功率（瓦特）: 3瓦组成成分: 金属元素包装/外壳: 轴的工作温度: -55摄氏度~275摄氏度	¥2.70885
MR3JB75L0	斯塔克波尔 (Stackpole)	电阻: 75 mOhms 公差: ±5% 功率（瓦特）: 3瓦组成成分: 金属元素包装/外壳: 轴的工作温度: -55摄氏度~275摄氏度	¥2.70885
MR3JB10L0	斯塔克波尔 (Stackpole)	电阻: 10毫欧姆公差: ±5% 功率（瓦特）: 3瓦组成成分: 金属箔包装/外壳: 轴的工作温度: -55摄氏度~275摄氏度	¥2.64909
MR3JB50L0	斯塔克波尔 (Stackpole)	电阻: 50 mOhms 公差: ±5% 功率（瓦特）: 3瓦组成成分: 金属箔包装/外壳: 轴的工作温度: -55摄氏度~275摄氏度	¥2.64909
MR3010L05B-RSR	美国机电一体化 (Mechatronics)	风扇的类型: Tubeaxial 大小/尺寸: 方形-30毫米长x 30毫米高宽: 10.00毫米额定电压: 5VDC 端接: 2导线	¥93.72313
MR3A16AUYS45	埃弗斯宾半导体 (Everspin)	存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 54-TSOP2	¥243.47008

MR3A16ACMA35R所属分类：存储器，MR3A16ACMA35R 由埃弗斯宾半导体 (Everspin) 设计生产，可通过久芯网进行购买。MR3A16ACMA35R价格参考￥202.511484，你可以下载 MR3A16ACMA35R中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询MR3A16ACMA35R规格参数、现货库存、封装信息等信息！