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品牌介绍

Everspin Technologies,Inc.总部位于亚利桑那州钱德勒市,在设计、制造离散和嵌入式磁阻RAM(MRAM)和自旋转矩MRAM(ST-MRAM)并将其商业化销售到数据持久性和完整性、低延迟和安全性至关重要的市场和应用中,是全球领先的公司。Everspin在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场部署了超过7000万个MRAM和ST-MRAM产品,建立了世界上最强大、增长最快的MRAM用户基础。

英文全称: Everspin Technologies Inc.

中文全称: 埃弗斯宾半导体

英文简称: Everspin

品牌地址: http://everspin.com/

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描述
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MR256A08BCMA35R
MR256A08BCMA35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥53.88718

0

5-7 工作日

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合计: ¥107,774.35200

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MR256A08BCYS35
MR256A08BCYS35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥51.98367

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥14,035.59063

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MR1A16AYS35
MR1A16AYS35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥137.97725

265

5-7 工作日

- +

合计: ¥137.97725

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MR1A16ACYS35
MR1A16ACYS35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥142.90242

0

5-7 工作日

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合计: ¥142.90242

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MR25H10CDFR
MR25H10CDFR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN-EP, Small Flag (5x6)

¥50.30194

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥201,207.76400

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MR25H128AMDFR
MR25H128AMDFR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 128Kb (16K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN-EP, Small Flag (5x6)

¥55.51683

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥222,067.31600

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MR25H10MDCR
MR25H10MDCR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN-EP, Large Flag (5x6)

¥64.75153

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥259,006.10400

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MR0A16ACMA35
MR0A16ACMA35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥86.04565

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥59,887.77379

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MR0A16AVMA35
MR0A16AVMA35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥99.95202

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥69,566.60592

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MR25H40MDFR
MR25H40MDFR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN-EP, Small Flag (5x6)

¥193.16814

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥772,672.57200

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MR2A16AYS35R
MR2A16AYS35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥155.03428

0

5-7 工作日

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合计: ¥232,551.41250

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MR0A08BMA35
MR0A08BMA35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥78.22332

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥54,443.43072

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MR2A16AVYS35R
MR2A16AVYS35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥195.77559

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥293,663.38050

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MR0A08BCMA35R
MR0A08BCMA35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥87.13209

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥174,264.17400

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MR1A16AMA35
MR1A16AMA35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥105.27555

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥73,271.78419

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MR25H256MDF
MR25H256MDF
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥73.11708

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥83,353.46664

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MR0A16AMYS35
MR0A16AMYS35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥115.27075

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5-7 工作日

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合计: ¥31,123.10358

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MR2A08AMA35
MR2A08AMA35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥151.55768

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥105,484.14737

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MR0A16AMYS35R
MR0A16AMYS35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥117.44362

0

5-7 工作日

- +

合计: ¥176,165.43600

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MR0A16ACMA35R
MR0A16ACMA35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥88.32717

0

5-7 工作日

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合计: ¥176,654.33200

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