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MR1A16AYS35
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MR1A16AYS35

  • 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 2Mb (128K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2
  • 品牌: 埃弗斯宾半导体 (Everspin)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 137.97724 137.97724
10+ 127.71405 1277.14056
25+ 125.98010 3149.50262
40+ 124.39861 4975.94472
135+ 109.01795 14717.42433
270+ 106.68791 28805.73759
  • 库存: 265
  • 单价: ¥137.97725
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥137.98
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 储存接口 并联
  • 存储类型 Non-Volatile
  • 安装类别 表面安装
  • 时钟频率 -
  • 工作温度 0摄氏度~70摄氏度(TA)
  • 电源电压 3V~3.6V
  • 包装/外壳 44-TSOP (0.400", 10.16毫米 Width)
  • 单字、单页写入耗时 35ns
  • 访达时期 35纳秒
  • 存储容量 2Mb (128K x 16)
  • 制造厂商 埃弗斯宾半导体 (Everspin)
  • 存储格式 RAM
  • 技术 磁阻式RAM
  • 供应商设备包装 44-TSOP2

MR1A16AYS35 产品详情

MR1A16AYS35所属分类:存储器,MR1A16AYS35 由 埃弗斯宾半导体 (Everspin) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MR1A16AYS35价格参考¥137.977245,你可以下载 MR1A16AYS35中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MR1A16AYS35规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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