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品牌介绍

Everspin Technologies,Inc.总部位于亚利桑那州钱德勒市,在设计、制造离散和嵌入式磁阻RAM(MRAM)和自旋转矩MRAM(ST-MRAM)并将其商业化销售到数据持久性和完整性、低延迟和安全性至关重要的市场和应用中,是全球领先的公司。Everspin在数据中心、云存储、能源、工业、汽车和运输市场部署了超过7000万个MRAM和ST-MRAM产品,建立了世界上最强大、增长最快的MRAM用户基础。

英文全称: Everspin Technologies Inc.

中文全称: 埃弗斯宾半导体

英文简称: Everspin

品牌地址: http://everspin.com/

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MR0D08BMA45R
MR0D08BMA45R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥69.25726

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MR0A08BYS35
MR0A08BYS35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥101.98003

769

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合计: ¥101.98003

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MR3A16ACYS35
MR3A16ACYS35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 54-TSOP2

¥244.88245

0

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MR3A16ACMA35
MR3A16ACMA35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (10x10)

¥251.18377

334

5-7 工作日

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合计: ¥251.18377

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MR2A16ACMA35
MR2A16ACMA35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (256K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥205.98808

0

5-7 工作日

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合计: ¥205.98808

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MR2A08ACMA35
MR2A08ACMA35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥206.13293

1562

5-7 工作日

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合计: ¥206.13293

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MR4A16BMA35
MR4A16BMA35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (10x10)

¥277.04093

960

5-7 工作日

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MR256D08BMA45
MR256D08BMA45
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥71.45374

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2-3 工作日

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MR25H10CDF
MR25H10CDF
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN-EP, Small Flag (5x6)

¥30.68759

3308

2-3 工作日

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合计: ¥30.68759

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MR25H256ACDF
MR25H256ACDF
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥35.30124

16931

2-3 工作日

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合计: ¥35.30124

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MR25H256MDC
MR25H256MDC
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥92.92641

0

5-7 工作日

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MR4A08BYS35
MR4A08BYS35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 16Mb (2M x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥247.48989

0

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合计: ¥247.48989

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MR5A16ACYS35
MR5A16ACYS35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 32Mb (2M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 54-TSOP2

¥520.69208

842

5-7 工作日

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合计: ¥520.69208

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MR0A16AYS35
MR0A16AYS35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP2

¥105.67391

0

5-7 工作日

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合计: ¥105.67391

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MR25H256CDFR
MR25H256CDFR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥44.10926

0

5-7 工作日

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合计: ¥176,437.04400

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MR256DL08BMA45R
MR256DL08BMA45R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥46.39078

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合计: ¥92,781.55000

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MR256A08BMA35R
MR256A08BMA35R
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥48.99822

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5-7 工作日

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合计: ¥97,996.43800

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MR256A08BMA35
MR256A08BMA35
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥47.01055

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合计: ¥32,719.34210

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MR256DL08BMA45
MR256DL08BMA45
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-FBGA (8x8)

¥44.36827

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合计: ¥30,880.31383

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MR25H256CDCR
MR25H256CDCR
存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 256Kb (32K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN (5x6)

¥44.43519

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合计: ¥177,740.76800

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