MR3A16ACYS35
- 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 54-TSOP2
- 品牌: 埃弗斯宾半导体 (Everspin)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 244.88244 | 244.88244 |
10+ | 230.28076 | 2302.80763 |
25+ | 222.28749 | 5557.18745 |
40+ | 215.26079 | 8610.43196 |
108+ | 195.01508 | 21061.62896 |
- 库存: 0
- 单价: ¥244.88245
-
数量:
- +
- 总计: ¥244.88
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 储存接口 并联
- 存储类型 Non-Volatile
- 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
- 安装类别 表面安装
- 时钟频率 -
- 电源电压 3V~3.6V
- 包装/外壳 54-TSOP (0.400", 10.16毫米 Width)
- 存储容量 8Mb (512K x 16)
- 单字、单页写入耗时 35ns
- 访达时期 35纳秒
- 制造厂商 埃弗斯宾半导体 (Everspin)
- 存储格式 RAM
- 技术 磁阻式RAM
- 供应商设备包装 54-TSOP2
MR3A16ACYS35所属分类:存储器,MR3A16ACYS35 由 埃弗斯宾半导体 (Everspin) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MR3A16ACYS35价格参考¥244.882449,你可以下载 MR3A16ACYS35中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MR3A16ACYS35规格参数、现货库存、封装信息等信息!
埃弗斯宾半导体 (Everspin)
Everspin Technologies,Inc.总部位于亚利桑那州钱德勒市,在设计、制造离散和嵌入式磁阻RAM(MRAM)和自旋转矩MRAM(ST-MRAM)并将其商业化销售到数据持久性和完整性、低...