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MR25H10CDF

  • 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: RAM 存储容量: 1Mb (128K x 8) 电源电压: 2.7伏~3.6伏 时钟频率: 40兆赫 供应商设备包装: 8-DFN-EP, Small Flag (5x6)
  • 品牌: 埃弗斯宾半导体 (Everspin)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 30.68758 30.68758
30+ 28.90098 867.02946
  • 库存: 3308
  • 单价: ¥30.68759
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥30.69
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 存储类型 Non-Volatile
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 储存接口 串行外设接口
  • 访达时期 -
  • 电源电压 2.7伏~3.6伏
  • 存储容量 1Mb (128K x 8)
  • 时钟频率 40兆赫
  • 制造厂商 埃弗斯宾半导体 (Everspin)
  • 存储格式 RAM
  • 技术 磁阻式RAM
  • 包装/外壳 8-VDFN Exposed Pad
  • 供应商设备包装 8-DFN-EP, Small Flag (5x6)

MR25H10CDF 产品详情

MR25H10CDF所属分类:存储器,MR25H10CDF 由 埃弗斯宾半导体 (Everspin) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MR25H10CDF价格参考¥30.687588,你可以下载 MR25H10CDF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MR25H10CDF规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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