SDRAM Product Guide
Memory Division
November 2007
K4S510432D-UC75
- 描述:存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II
- 品牌: 三星半导体 (Samsung)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 96
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 96+ | 108.64350 | 10429.77600 |
- 库存: 2354
- 单价: ¥108.64350
-
数量:
- +
- 总计: ¥10,429.78
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规格参数
- 存储类型 Volatile
- 存储格式 DRAM
- 时钟频率 133兆赫
- 单字、单页写入耗时 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 0摄氏度~70摄氏度（TA）
- 技术 同步动态随机存取内存
- 电源电压 3V~3.6V
- 包装/外壳 54-TSOP (0.400", 10.16毫米 Width)
- 供应商设备包装 54-TSOP II
- 部件状态 过时的
- 访达时期 65 ns
- 储存接口 LVTTL
- 存储容量 512Mb (128M x 4)
- 制造厂商 三星半导体 (Samsung)
K4S510432D-UC75 产品详情
K4S510432D-UC75 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| K4S510432D-UC75 | 三星半导体 (Samsung) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥108.6435 |
 | K4S510432D-UC75T00 | 三星半导体 (Samsung) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (128M x 4) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥86.9148 |
K4S510432D-UC75所属分类：存储器，K4S510432D-UC75 由 三星半导体 (Samsung) 设计生产，可通过久芯网进行购买。K4S510432D-UC75价格参考￥108.643500，你可以下载 K4S510432D-UC75中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询K4S510432D-UC75规格参数、现货库存、封装信息等信息！
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