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IS61LV6416-10TL

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 1Mb (64K x 16) 电源电压: 3.135V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
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    - +
  • 总计: ¥15.73
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 安装类别 表面安装
  • 时钟频率 -
  • 存储格式 SRAM
  • 技术 SRAM-异步
  • 工作温度 0摄氏度~70摄氏度(TA)
  • 单字、单页写入耗时 10ns
  • 访达时期 10纳秒
  • 电源电压 3.135V~3.6V
  • 包装/外壳 44-TSOP (0.400", 10.16毫米 Width)
  • 供应商设备包装 44-TSOP II
  • 存储容量 1Mb (64K x 16)

IS61LV6416-10TL 产品详情

The IS61LV6416-10TL is a 64K x 16-bit high-speed CMOS Static Random Access Memory (SRAM) with 3.3V supply. It is fabricated using ISSI's high-performance CMOS technology. This highly reliable process coupled with innovative circuit design techniques, yields access times as fast as 8 ns with low power consumption. When CE is HIGH (deselected), the device assumes a standby mode at which the power dissipation can be reduced down with CMOS input levels. Easy memory expansion is provided by using chip enable and output enable inputs CE and OE. The active LOW write enable (WE) controls both writing and reading of the memory. A data byte allows upper byte (UB) and lower byte (LB) access.

Feature

  • High-speed access time - 10ns
  • CMOS low power operation
  • TTL compatible interface levels
  • Single 3.3V power supply
  • Fully static operation - no clock or refresh required
  • 3-State outputs
  • Data control for upper and lower bytes
IS61LV6416-10TL所属分类:存储器,IS61LV6416-10TL 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS61LV6416-10TL价格参考¥15.732644,你可以下载 IS61LV6416-10TL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS61LV6416-10TL规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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