久芯网

IS43LR32100D-6BLI-TR

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 32Mb (1M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 2500

数量 单价 合计
1+ 23.35199 23.35199
200+ 9.03812 1807.62500
500+ 8.72284 4361.42100
1000+ 8.56520 8565.20000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥23.35199
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥21,413.00
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息,以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 存储格式 DRAM
  • 储存接口 并联
  • 电源电压 1.7伏~1.95伏
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 技术 SDRAM-移动LPDDR
  • 单字、单页写入耗时 15纳秒
  • 时钟频率 166兆赫
  • 访达时期 5.5 ns
  • 包装/外壳 90-TFBGA
  • 供应商设备包装 90-TFBGA (8x13)
  • 存储容量 32Mb (1M x 32)

IS43LR32100D-6BLI-TR 产品详情

IS43LR32100D-6BLI-TR所属分类:存储器,IS43LR32100D-6BLI-TR 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS43LR32100D-6BLI-TR价格参考¥23.351993,你可以下载 IS43LR32100D-6BLI-TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS43LR32100D-6BLI-TR规格参数、现货库存、封装信息等信息!
会员中心 微信客服
客服
回到顶部