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IS61WV3216BLL-12TLI-TR

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 512Kb (32K x 16) 电源电压: 3V~3.6V 供应商设备包装: 44-TSOP II
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
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起订量: 1000

数量 单价 合计
1+ 12.86356 12.86356
200+ 4.98147 996.29560
500+ 4.80281 2401.40900
1000+ 4.71874 4718.74200
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 时钟频率 -
  • 存储格式 SRAM
  • 技术 SRAM-异步
  • 单字、单页写入耗时 12ns
  • 电源电压 3V~3.6V
  • 包装/外壳 44-TSOP (0.400", 10.16毫米 Width)
  • 供应商设备包装 44-TSOP II
  • 访达时期 12纳秒
  • 存储容量 512Kb (32K x 16)

IS61WV3216BLL-12TLI-TR 产品详情

IS61WV3216BLL-12TLI-TR所属分类:存储器,IS61WV3216BLL-12TLI-TR 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS61WV3216BLL-12TLI-TR价格参考¥12.863564,你可以下载 IS61WV3216BLL-12TLI-TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS61WV3216BLL-12TLI-TR规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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