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IS66WV1M16EBLL-70BLI

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: PSRAM 存储容量: 16Mb (1M x 16) 电源电压: 2.5伏~3.6伏 供应商设备包装: 48-TFBGA (6x8)
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 480

数量 单价 合计
1+ 21.91219 21.91219
200+ 8.48112 1696.22480
480+ 8.18686 3929.69280
960+ 8.03972 7718.13888
  • 库存: 0
  • 单价: ¥21.91220
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3,929.69
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 时钟频率 -
  • 包装/外壳 48-TFBGA
  • 存储格式 PSRAM
  • 技术 PSRAM(伪SRAM)
  • 单字、单页写入耗时 70ns
  • 访达时期 70 ns
  • 存储容量 16Mb (1M x 16)
  • 供应商设备包装 48-TFBGA (6x8)
  • 电源电压 2.5伏~3.6伏

IS66WV1M16EBLL-70BLI 产品详情

IS66WV1M16EBLL-70BLI所属分类:存储器,IS66WV1M16EBLL-70BLI 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS66WV1M16EBLL-70BLI价格参考¥21.912199,你可以下载 IS66WV1M16EBLL-70BLI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS66WV1M16EBLL-70BLI规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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