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IS61C5128AS-25QLI-TR

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 4Mb (512K x 8) 电源电压: 4.5伏~5.5伏 供应商设备包装: 32-SOP
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1000

数量 单价 合计
1+ 44.28681 44.28681
200+ 17.14091 3428.18200
500+ 16.54187 8270.93550
1000+ 16.24760 16247.60600
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  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥16,247.61
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 时钟频率 -
  • 单字、单页写入耗时 25纳秒
  • 访达时期 25纳秒
  • 存储格式 SRAM
  • 技术 SRAM-异步
  • 电源电压 4.5伏~5.5伏
  • 存储容量 4Mb (512K x 8)
  • 包装/外壳 32-SOIC(0.445“,11.30毫米宽)
  • 供应商设备包装 32-SOP

IS61C5128AS-25QLI-TR 产品详情

IS61C5128AS-25QLI-TR所属分类:存储器,IS61C5128AS-25QLI-TR 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS61C5128AS-25QLI-TR价格参考¥44.286813,你可以下载 IS61C5128AS-25QLI-TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS61C5128AS-25QLI-TR规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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