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IS42VM16400M-75BLI-TR

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 54-TFBGA (8x8)
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 2500

数量 单价 合计
1+ 22.40614 22.40614
200+ 8.67029 1734.05900
500+ 8.36552 4182.76050
1000+ 8.21838 8218.38800
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  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥20,545.97
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 存储格式 DRAM
  • 技术 SDRAM-移动
  • 储存接口 并联
  • 时钟频率 133兆赫
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 访达时期 6 ns
  • 电源电压 1.7伏~1.95伏
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 54-TFBGA
  • 供应商设备包装 54-TFBGA (8x8)
  • 存储容量 64Mb (4M x 16)

IS42VM16400M-75BLI-TR 产品详情

IS42VM16400M-75BLI-TR所属分类:存储器,IS42VM16400M-75BLI-TR 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS42VM16400M-75BLI-TR价格参考¥22.406143,你可以下载 IS42VM16400M-75BLI-TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS42VM16400M-75BLI-TR规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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