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IS43DR16160B-3DBL

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.9伏 时钟频率: 333兆赫 供应商设备包装: 84-TWBGA (8x12.5)
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 418

数量 单价 合计
1+ 20.78768 20.78768
200+ 8.05023 1610.04740
500+ 7.76648 3883.24100
1000+ 7.62985 7629.85900
  • 库存: 0
  • 单价: ¥20.78769
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥3,365.00
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 存储格式 DRAM
  • 存储容量 256Mb (16M x 16)
  • 储存接口 并联
  • 安装类别 表面安装
  • 单字、单页写入耗时 15纳秒
  • 工作温度 0摄氏度~70摄氏度(TA)
  • 技术 SDRAM-DDR2
  • 电源电压 1.7伏~1.9伏
  • 包装/外壳 84-TFBGA
  • 供应商设备包装 84-TWBGA (8x12.5)
  • 时钟频率 333兆赫
  • 访达时期 450 ps

IS43DR16160B-3DBL 产品详情

IS43DR16160B-3DBL所属分类:存储器,IS43DR16160B-3DBL 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS43DR16160B-3DBL价格参考¥20.787688,你可以下载 IS43DR16160B-3DBL中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS43DR16160B-3DBL规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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