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IS42VM32200M-6BLI-TR

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (2M x 32) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 2500

数量 单价 合计
1+ 26.33667 26.33667
200+ 10.19416 2038.83280
500+ 9.83684 4918.42150
1000+ 9.65818 9658.18300
  • 库存: 0
  • 单价: ¥26.33668
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥24,145.46
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 存储格式 DRAM
  • 技术 SDRAM-移动
  • 储存接口 并联
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 电源电压 1.7伏~1.95伏
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 时钟频率 166兆赫
  • 访达时期 5.5 ns
  • 包装/外壳 90-TFBGA
  • 供应商设备包装 90-TFBGA (8x13)
  • 存储容量 64Mb (2M x 32)

IS42VM32200M-6BLI-TR 产品详情

IS42VM32200M-6BLI-TR所属分类:存储器,IS42VM32200M-6BLI-TR 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS42VM32200M-6BLI-TR价格参考¥26.336676,你可以下载 IS42VM32200M-6BLI-TR中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS42VM32200M-6BLI-TR规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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