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IS46R16160F-5TLA1

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 256Mb (16M x 16) 电源电压: 2.3伏~2.7伏 时钟频率: 200兆赫 供应商设备包装: 66-TSOP II
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 216

数量 单价 合计
1+ 35.67957 35.67957
200+ 13.80941 2761.88300
500+ 13.32598 6662.99000
1000+ 13.08426 13084.26300
  • 库存: 0
  • 单价: ¥35.67958
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,982.83
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 存储格式 DRAM
  • 存储容量 256Mb (16M x 16)
  • 储存接口 并联
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 时钟频率 200兆赫
  • 单字、单页写入耗时 15纳秒
  • 技术 SDRAM-DDR
  • 访达时期 700 ps
  • 电源电压 2.3伏~2.7伏
  • 包装/外壳 66-TSSOP (0.400", 10.16毫米 Width)
  • 供应商设备包装 66-TSOP II

IS46R16160F-5TLA1 产品详情

IS46R16160F-5TLA1所属分类:存储器,IS46R16160F-5TLA1 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS46R16160F-5TLA1价格参考¥35.679576,你可以下载 IS46R16160F-5TLA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS46R16160F-5TLA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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