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IS34MW01G164-BLI

  • 描述:存储类型: Non-Volatile 存储格式: FLASH 存储容量: 1Gb (64M x 16) 电源电压: 1.7伏~1.95伏 供应商设备包装: 63-VFBGA (9x11)
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 220

数量 单价 合计
1+ 119.63955 119.63955
200+ 46.30462 9260.92540
500+ 44.67566 22337.83150
1000+ 43.87694 43876.94500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥119.63956
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥10,187.02
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 储存接口 并联
  • 存储类型 Non-Volatile
  • 电源电压 1.7伏~1.95伏
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 存储格式 FLASH
  • 技术 FLASH-NAND(SLC)
  • 时钟频率 -
  • 包装/外壳 63-VFBGA
  • 存储容量 1Gb (64M x 16)
  • 单字、单页写入耗时 45ns
  • 访达时期 45纳秒
  • 供应商设备包装 63-VFBGA (9x11)

IS34MW01G164-BLI 产品详情

IS34MW01G164-BLI所属分类:存储器,IS34MW01G164-BLI 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS34MW01G164-BLI价格参考¥119.639555,你可以下载 IS34MW01G164-BLI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS34MW01G164-BLI规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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