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IS62WV51216EFBLL-45TLI

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: SRAM 存储容量: 8Mb (512K x 16) 电源电压: 2.2伏~3.6伏 供应商设备包装: 44-TSOP II
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 270

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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 储存接口 并联
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 时钟频率 -
  • 存储格式 SRAM
  • 技术 SRAM-异步
  • 电源电压 2.2伏~3.6伏
  • 包装/外壳 44-TSOP (0.400", 10.16毫米 Width)
  • 供应商设备包装 44-TSOP II
  • 存储容量 8Mb (512K x 16)
  • 访达时期 45纳秒
  • 单字、单页写入耗时 55ns

IS62WV51216EFBLL-45TLI 产品详情

IS62WV51216EFBLL-45TLI所属分类:存储器,IS62WV51216EFBLL-45TLI 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS62WV51216EFBLL-45TLI价格参考¥46.872427,你可以下载 IS62WV51216EFBLL-45TLI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS62WV51216EFBLL-45TLI规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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