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IS42RM32160E-75BLI

  • 描述:存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 512Mb (16M x 32) 电源电压: 2.3V ~ 3V 时钟频率: 133兆赫 供应商设备包装: 90-TFBGA (8x13)
  • 品牌: 美国芯成 (ISSI)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 240

数量 单价 合计
1+ 84.76920 84.76920
200+ 32.81049 6562.09920
500+ 31.65445 15827.22850
1000+ 31.08694 31086.94700
  • 库存: 0
  • 单价: ¥84.76921
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7,874.52
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 制造厂商 美国芯成 (ISSI)
  • 存储类型 Volatile
  • 存储格式 DRAM
  • 技术 SDRAM-移动
  • 储存接口 并联
  • 时钟频率 133兆赫
  • 单字、单页写入耗时 -
  • 访达时期 6 ns
  • 工作温度 -40摄氏度~85摄氏度(TA)
  • 安装类别 表面安装
  • 存储容量 512Mb (16M x 32)
  • 包装/外壳 90-TFBGA
  • 供应商设备包装 90-TFBGA (8x13)
  • 电源电压 2.3V ~ 3V

IS42RM32160E-75BLI 产品详情

IS42RM32160E-75BLI所属分类:存储器,IS42RM32160E-75BLI 由 美国芯成 (ISSI) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IS42RM32160E-75BLI价格参考¥84.769207,你可以下载 IS42RM32160E-75BLI中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IS42RM32160E-75BLI规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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